阙端麟：踏出中国硅单晶的一个脚印
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- 2009-03-27
- 正文快照：
- 人物名片：阙端麟，浙江大学材料科学与工程学系教授，中国科学院院士，半导体材料学家。1951年厦门大学毕业后留校，1953年调浙江大学工作。历任浙江大学教授、材料系副系主任、半导体材料研究所所长、浙江大学副校长，浙江省科协主席。曾荣获全国五一劳动奖章等荣誉。国内较早开始半导体材料探索的研究者之一。完成了高纯硅烷及多晶硅生产的成套技术并在国内推广，研究制备了高阻探测器级硅单晶。研究发明减压充氮直拉硅单晶技术，取得中国发明专利7项，该成果于1989年获国家发明二等奖。1957年，“发展半导体事业”被列入新中国第一个十二年科学发展规划，全国不少高校开始创办半导体材料方面的专业。浙江大学是国内最早开办工科半导体材料与器件的学校之一。阙端麟是浙大半导体材料与器件专业的主要创始人，由此专业发展而来的半导体材料学科，在上世纪八九十年代曾经是国内半导体材料学科中唯一的国家重点学科，是我国最早的半导体材料工学硕士点、博士点。依托学科建立的“硅材料国家重点实验室”，为1985-86年国家计委批准建设的第一批国家重点实验室之一。
- 期次：
- 第317期
- 版次：
- 1
- 来源：
- 浙江大学报
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