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浙大学子首获“安捷伦杯”论文奖

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作者:
樊瑞新
出版日期:
2006-12-08
正文快照:
本报讯12月1日,2006年“安捷伦杯”半导体制造技术论文比赛颁奖典礼在上海举行,浙江大学硅材料国家重点实验室半导体研究所博士生陈加和、袁志钟的参赛论文分获二等奖、三等奖。据悉,本次大赛共评出一等奖一名、二等奖两名、三等奖7名和攀登奖11名;浙大是首次在这项赛事中获得奖项。2006年“安捷伦杯”半导体制造技术论文比赛旨在促进教育界、科技界和产业界对培养半导体制造领域具有国际水准的高级人才的关注,探讨高科技企业和大学合作、交流和联系的新模式。来自北京大学、清华大学、浙江大学等11所高校和研究机构的近80名半导体专业领域的研究生参加了本次大赛。陈加和的论文“超大规模集成电路用微量掺错直拉单晶硅片的表征及其缺陷工程”分析了目前超大规模集成电路用单晶硅片发展的两个趋势,提出用微量错元素对普通单晶硅片进行掺杂改善硅片性能的新概念,得到来自科研界和产业界评委的一致肯定。袁志钟的论文“不同载流子浓度和热处理过程中硅pn结的光致发光谱研究”利用常规半导体制造过程中的热处理工艺和快速热处理工艺,对在硅片中进行离子注入形成的PN结在不同的载流子浓度条件下的发光特性做了系统的研究,为进一步研究硅基光电的产业应用提供了一定的依据。
期次:
第222期
版次:
3
来源:
浙江大学报

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