全文下载 在线预览 在线预览

阙端麟———踏出中国硅单晶的一个脚印

浏览量:41下载量: 1
作者:
张岚
出版日期:
2010-05-21
正文快照:
1953年,阙端麟进入浙江大学电机系工作。在讲授“电工材料”课程的过程中,阙端麟敏锐地感觉到了半导体材料研究的前端性,并以半导体材料研究作为新的发展方向,最终成为这一研究方向的先驱。1959年,阙端麟着手研究提纯硅烷及制备高纯硅技术。当时,他认为,国内还没有人研究过的硅烷法是最适合浙大实际条件的可行方法,也最有可能研制成功。然而,这种方法却是最危险的,因为硅烷容易发生爆炸。
期次:
第364期
版次:
7
来源:
浙江大学报

作者相关文献

本期相关文章

浙江大学档案馆版权所有,未经授权,禁止复制或镜像

联系我们:浙江省杭州市西湖区天目山路148号,0571-88273131

推荐使用Chrome浏览器;同方知网数字出版技术股份有限公司技术支持

资源上传  |  留言板